Gazi Üniversitesi Fen Fakültesi Dergisi

Yazarlar: Seçkin Altındal Yerişkin, Yasemin Şafak Asar

Konular:-

DOI:10.5281/zenodo.4398959

Anahtar Kelimeler:Al/(%5 Gr-PVA)/p-Si (MPS)yapılar/kapasitörler,C-V ve G/-V ölçümleri,Seri direnç ve arayüzey durumlarının dielektrik karakteristikleri üzerine etkisi

Özet: Bu çalışmada, Al/(%5 Gr-PVA)/p-Si (MPS) kapasitörler hazırlanarak dielektrik özellikleri, oda sıcaklığında ve geniş bir voltaj aralığında ölçülen kapasitans-voltaj (C-V) ve kondüktans-voltaj (G/’-V) ölçümleri kullanılarak yeterince düşük (1 kHz) ve yüksek (1 MHz) olmak üzere iki farklı frekansta incelendi. Ölçülen C-V ve G/-V eğrilerinden elde edilen ’-V ve ”-V eğrilerinin de tıpkı onlar gibi sırasıyla yığılım (-6V/-2V), tükenim (-2V/2V), ve terslenim (1.5V/6V) bölgelerine sahip olduğu gözlendi. Kompleks dielektrik sabitinin gerçek (’) ve sanal (”) kısımlarının hem frekansa hem de voltaja bağlı olduğu ve bu bağlılığın özellikle tükenim ve yığılım bölgelerinde daha belirginleştiği saptandı. Hem ’ hem de ” değerlerinde frekans ve voltaja bağlı saptanan değişimler, özellikle hazırlanan aygıtın seri direncine (Rs), (%5 Gr-PVA)/p-Si oluşan arayüzey durumlarına (Nss) ve yüzey/dipol polarizasyonuna atfedildi. Bu Nss değerleri ve polarizasyon, düşük-orta frekanslarda ölçülen C ve G değerlerine ve dolayısıyla da ’ ile ” değerlerine ilave bir katkı getirmektedir. Özellikle düşük frekanslarda elde edilen yüksek ’ ve ” değerleri, bize, kullanılan (Gr-PVA) polimer arayüzey tabakanın geleneksel yalıtkanlar yerine başarıyla kullanılabileceği ve MPS kapasitörlerde daha fazla yük/enerji depolanabileceğini göstermektedir.

---