Niğde Ömer Halisdemir Üniversitesi Mühendislik Bilimleri Dergisi

Yazarlar: Ayşe Seyhan

Konular:Mühendislik, Ortak Disiplinler

DOI:10.28948/ngumuh.542803

Anahtar Kelimeler:Heteroeklem güneş hücresi,C-Si HIT,A-Si:H ince film,PECVD,PVD

Özet:    Tek kristalli silisyum (Si) alttaşlar üzerine ince a-Si tabakalardan oluşan c-silisyum heteroeklem teknolojisi son yıllarda fotovoltaik (FV) alanında bir çok araştırmacı ve bilim adamı tarafından çalışılan önemli bir araştırma konusudur. Silisyum  heteroeklem güneş hücre teknolojisi, yüksek enerji dönüşüm verimliliği ve rekabetçi seri üretim maliyeti ile kendisini ispat etmiş ve yeni geliştirilen teknolojileri bünyesine entegre edebilme kabiliyeti ile potansiyelini ortaya koymuş bir güneş hücresi teknolojisidir Bu çalışmada, silisyum heteroeklem güneş hücrelerinin üretim aşamaları ve karakterizasyonu detaylı bir şekilde çalışılmıştır. a-Si:H incefilmlerin kalınlık, bant aralığı ve taşıyıcı yaşam süresi gibi özellikleri elipsometre, profilometre ve taşıyıcı yaşam süresi cihazı ile araştırılmış ve optimizasyonu yapılmıştır. 6 inç n-tipi c-Si alttaş üzerine büyütülen katkısız ince film tabakalı heteroeklem (heterojunction with intrinsic thin-layer, HIT) yapısı ile %19,7 verimli güneş hücresi üretilmiştir.  

---