Türk Tarım ve Doğa Bilimleri Dergisi

Yazarlar: Ayşe Gül NASIRCILAR, Kamile ULUKAPI, Hatice ÜSTÜNER

Konular:Fen

DOI:10.30910/turkjans.957578

Anahtar Kelimeler:Carrot,Germination,Salt Stress,Silicon dioxide

Özet: Bu çalışmada, tuz stresi koşullarında (150, 200 mM NaCl) havuç tohumlarının çimlenme parametreleri üzerine dışarıdan silikon dioksit uygulamalarının (0.5, 1, 1.5 mM SiO2) etkileri araştırılmıştır. Bu amaçla çimlenme yüzdesi (ÇY), ortalama çimlenme süresi (OÇS), çimlenme oranı katsayısı (ÇOK), çimlenme hız indeksi (ÇHI), çimlenme indeksi (ÇI), fide güç indeksi (FGI), yaprak sayısı, sürgün ve kök uzunluğu (mm) ve bitki taze ağırlığı (g) belirlenmiştir. Tuz stresine duyarlı sarı havucun çimlenme parametreleri 150 mM NaCl uygulamasından olumsuz etkilenmiş, sürgün ve kök uzunlukları %80 oranında azalmıştır. Özellikle SiO2 uygulamaları bu çeşit için çimlenme parametrelerini olumlu etkilemiştir. 150 mM NaCl uygulamasında 0,5 mM SiO2 ile muamele edilen tohumların çimlenmesi yaklaşık iki kat (%23) artmış ve kontrol grubunda çimlenmenin gerçekleşmediği 200 mM NaCl'de %15 çimlenme elde edilmiştir. Siyah havuç çeşidi tuz stresini tolere etmesine rağmen, silikon dioksit uygulamalarının çimlenme ve gelişme üzerinde teşvik edici bir etkisi olmuştur. Siyah havuç tohumlarında özellikle 1.5 mM SiO2 uygulamasının çimlenme parametrelerine olumlu etki yaptığı belirlenmiştir. 150 mM NaCl'de 1.5 mM SiO2 ile muamele edilen tohumlarda çimlenme yüzdesi %93'e, 200 mM NaCl konsantrasyonunda ise %86'ya çıkarak kontrol grubuna göre daha yüksek değerlere ulaşmıştır. Sonuçlar, uygun SiO2 konsantrasyonları ile ön işlemin çimlenme performansını önemli ölçüde iyileştirdiğini ve tuz stresine toleransı desteklediğini göstermiştir.

---