Engineering Sciences

Engineering Sciences

ON THE DENSITY DISTRIBUTION PROFILES OF INTERFACE STATES

Yazarlar: Ibrahim YÜCEDAĞ

Cilt 4 , Sayı 4 , 2009 , Sayfalar 518 - 526

Konular:-

DOI:10.12739/nwsaes.v4i4.5000067123

Anahtar Kelimeler:Ara Yüzey Durumları,Gevşeme Zamanı,İletkenlik Yöntemi,Seri Direnç,İnce Yalıtkan Tabaka

Özet: Bu çalışmada, ince bir (32Å) SiO2'li Al/SiO2/p-Si (MIS)yapının ara yüzey durumu (Nss) ve gevşeme zamanının () enerji dağılımı profili iletkenlik yöntemleri kullanılarak araştırılmıştır. Bu cihazların C-V-f ve G/-V-f karakteristikleri 0,2 kHz–100 kHz frekans aralığında ölçülmüştür. Bu yapının deneysel karakteristikleri Rs ve Nss yüzünden özellikle düşük frekanslarda oldukça büyük frekans dağılımı göstermektedir. Bu yapının kapasitansı artan frekans ile azalmaktadır. Düşük frekanslarda özellikle C'deki artış Nss'in varlığını ortaya koymaktadır. Nss ve  özellikleri Si'nin bant aralığında tespit edilmiştir. Nss'in temel değeri yaklaşık olarak 3x1014 eV-1cm-2 civarında ve çok az değişiklikle bulundu. Gevşeme zamanının değerleri 1.05x10-5 s ile 1.58x10-3 s aralığında ve orta boşluğa doğru üstel olarak artış göstermiştir.

ATIFLAR
Atıf Yapan Eserler
Henüz Atıf Yapılmamıştır
KAYNAK GÖSTER
BibTex
KOPYALA
@article{2009, title={ON THE DENSITY DISTRIBUTION PROFILES OF INTERFACE STATES}, volume={4}, number={518–526}, publisher={Engineering Sciences}, author={Ibrahim YÜCEDAĞ}, year={2009} }
APA
KOPYALA
Ibrahim YÜCEDAĞ. (2009). ON THE DENSITY DISTRIBUTION PROFILES OF INTERFACE STATES (Vol. 4). Vol. 4. Engineering Sciences.
MLA
KOPYALA
Ibrahim YÜCEDAĞ. ON THE DENSITY DISTRIBUTION PROFILES OF INTERFACE STATES. no. 518–526, Engineering Sciences, 2009.
Atıf Görüntüle
PDF Görüntüle
Kaynak Görüntüle
Paylaş
Dergi Bilgileri