Dokuz Eylül Üniversitesi Mühendislik Fakültesi Fen ve Mühendislik Dergisi
Yazarlar: Metin KUL, Melih ŞENEL
Konular:-
Anahtar Kelimeler:İndiyum Oksit,Döndürerek Kaplama Yöntemi,X-ışını kırınımı,FESEM,Yasak Enerji Aralığı
Özet: In2O3 yarıiletken filmleri oda sıcaklığında döndürerek kaplama yöntemiyle elde edilmiştir. Bu yöntem ile numunelerin elde edilme aşamalarında çözelti konsantrasyonunun, taban dönüş hızının, çözelti miktarının, kaplama sayısının, kaplama süresinin ve tavlama sıcaklığının belirlenmesi çalışmaları yapılmıştır. Filmlerin fiziksel özellikleri x-ışını toz kırınımı (XRD), elipsometre, alan emisyonlu taramalı elektron mikroskobu (FESEM), absorpsiyon ve geçirgenlik spektroskopisi ölçümleri ile karakterize edilmiştir. Numunelerin kırınım desenleri filmlerin polikristal olduğunu ve kübik yapıda kristallendiğini göstermiştir. Optik absorpsiyon ölçümlerinden filmlerin yasak enerji aralıklarının direk bant geçişli olduğu belirlenmiştir. Farklı tavlama sıcaklıklarında InOdeğerleri 3.49 eV civarında bulunmuştur. Görünür bölgede filmlerin geçirgenliği 65% ile 80% aralığındadır. filmlerinin yasak enerji aralığı